冷壁CVD生長設(shè)備是常州國成新材料科技有限公司針對現(xiàn)有石英管式爐CVD生長設(shè)備功耗大、控制性差、產(chǎn)量低等缺點開發(fā)出來的一款新型CVD生長設(shè)備。該設(shè)備不僅可以用于石墨烯生長，還可用于六角氮化硼等二維材料薄膜、MBE薄膜及復(fù)合薄膜生長。
同時該設(shè)備也適合用于材料在高真空中的退火，加熱溫度~1000°C。
● 程序控制， 實驗重復(fù)性高
● 背景氣壓低，雜質(zhì)氣體干擾少
● 快速降溫機構(gòu)，樣品溫度5秒從1000 C降到800 C
● 可擴展性強，可在設(shè)備技術(shù).上添加特有功能，如原位金屬電極蒸鍍、摻雜等
● 能耗低、產(chǎn)量高、成本低，適用于工業(yè)化生產(chǎn)(大型冷壁CVD )
△ 可定制功能：
● 添加熱蒸鍍、熱處理、金屬摻雜等功能
● 其他分析設(shè)備的互聯(lián)，如角分辨光電子能譜、低能電子衍射、俄歇電子譜、X射線光電子能譜等
● 傳樣機構(gòu)
化學(xué)氣相沉積/真空退火（CVD/Vacuum annealing）
