蒸發(fā)源是用來加熱膜材使之汽化蒸發(fā)的裝置。目前所用的蒸發(fā)源主要有電阻加熱、電子束加熱、感應加熱、電弧加熱和激光加熱等多種形式。

電阻加熱式蒸發(fā)源：電阻式蒸發(fā)源簡單、經濟、可靠，可以做成不同的容量、形狀并具有不同的電特性。

電子槍加熱蒸發(fā)源：有時很多材料不能用電阻加熱的形式蒸發(fā)，例如常用于可見光和近紅外光學器件鍍膜的絕緣材料。在這種情況下，必須采用電子束加熱方式。電 子束加熱所用的電子槍有多種類型可供選擇。多坩堝電子槍可采用一個源對多種材料進行蒸發(fā)，這種槍在鍍制多層膜且膜層較薄的工藝中應用效果很好。當需要每種 鍍膜材料用量較大，或每個源都需要占用不同的位置時，可以選用單坩堝電子槍。電子槍所用電源的大小更多地取決于蒸發(fā)材料的導熱性，而不是其蒸發(fā)溫度。電源 功率一般在4-10KW之間，對于大多數(shù)的絕緣材料，4KW就足夠了，而如果想達到很高的沉積速率，或在一個很大的真空室內對導熱材料進行蒸發(fā)時，則需要 10KW以上的更大功率的電源

電子束加熱原理：電子束加熱蒸發(fā)源是利用熱陰極發(fā)射電子在電場作用下成為高能量密度的電子束直接轟擊至鍍料上。電子束的動能轉化為熱能，使鍍料加熱汽化，完成蒸發(fā)鍍膜。

　感應加熱式蒸發(fā)源：利用高頻電磁場感應加熱膜材使其汽化蒸發(fā)的裝置稱為感應加熱式蒸發(fā)源

感應加熱式蒸發(fā)源具有如下特點：

1)蒸發(fā)速率大。在卷繞蒸鍍膜中，當沉積鋁膜厚度為40nm時，卷繞速度可達270m/min,比電阻加熱式蒸發(fā)源高10倍左右。

2)蒸發(fā)源溫度均勻穩(wěn)定，不易產生液滴飛濺現(xiàn)象?？杀苊庖旱纬练e在薄膜上產生針孔缺陷，提高膜層質量。

3)蒸發(fā)源一次裝料，無需送絲機構，溫度控制比較容易，操作簡單。

4)對膜材純度要求略寬此，如一般真空感應加熱式蒸發(fā)源用99.9%純度的鋁即可，而電阻加熱式蒸發(fā)源要求鋁的純度為99.39%，因此膜材的生產成本也可降低。

5)坩堝溫度較低，坩堝材料對膜導污染較少。

激光加熱式蒸發(fā)源：激光束加熱蒸發(fā)的原理是利用激光源發(fā)射的光子束的光能作為加熱膜材的熱源，使膜材吸熱汽化蒸發(fā)，激光加熱蒸發(fā)技術是真空蒸發(fā)鍍膜工藝中的一項新技術。

電弧加熱蒸發(fā)源：電弧加熱蒸發(fā)源是在高真空下通過兩導電材料制成的電極之間產生電弧放電，利用電弧高溫使電極材料蒸發(fā)。

電弧源的形式有交流電弧放電、直流電弧放電和電子轟擊電弧放電等形式。

電弧加熱蒸發(fā)的優(yōu)點是既可避免電阻加熱法中存在的加熱絲、坩堝與蒸發(fā)物質發(fā)生反應和污染問題，還可以蒸發(fā)高熔點的難熔材料。

電弧加熱蒸發(fā)的缺點是電弧放電會飛濺出微米級的靶電極材料微粒，對膜層不利。