MBE技術(shù)是在超高真空條件下，用其組元的分子（或原子）束噴射到襯底上生長外延薄層的技術(shù)。

現(xiàn)代MBE生長系統(tǒng)的背景真空度可達(dá) 1.33×10-10Pa，分子束與分子束以及分子束與背景分子之間不發(fā)生碰撞。

MBE技術(shù)的關(guān)鍵

III,V族元素分別加熱到溫度Ti,Tj形成的束 引入到溫度為Ts的襯底上生長薄膜，要仔細(xì) 選擇Ts，使多余的V族元素從襯底表面蒸發(fā)以生長化學(xué)配比材料合適的生長溫度使吸附的原子有足夠的能量 遷移到合適的平衡位置進(jìn)行外延生長

溫度太低：可能生長出多晶或非晶

溫度過高：會(huì)使吸附的原子再次蒸發(fā)而脫附

MBE設(shè)備

真空系統(tǒng)、生長系統(tǒng)、監(jiān)控系統(tǒng)

生長系統(tǒng)：進(jìn)樣室、預(yù)處理室（襯底存儲(chǔ)室）、生長室

監(jiān)控系統(tǒng)：

四極質(zhì)譜儀：真空度檢測(cè)，監(jiān)測(cè)殘余氣體和分子束流的成分

電離計(jì)：測(cè)量分子束流量

電子衍射儀：觀察晶體表面結(jié)構(gòu)以及生長表面光潔平整度

俄歇譜儀：檢測(cè)表面成分、化學(xué)計(jì)量比和表面沾污等