超高真空系統(tǒng)要用出氣率極低的不銹鋼制成，超高真空則由一系列的真空泵組來實(shí)現(xiàn)和維持，包括機(jī)械泵、渦輪分子泵、離子泵、鈦升華泵等等。得益于現(xiàn)代超高真空技術(shù)的發(fā)展，MBE 系統(tǒng)的真空度一般都能達(dá)到優(yōu)于1×10-10 Torr（乇）的水平。在這個(gè)真空度下，即使系統(tǒng)里面的殘余氣體百分之百地吸附到單晶襯底的表面，鋪滿一個(gè)原子層也需要一小時(shí)左右。這時(shí)的殘留氣體以氫氣為主，而常溫下氫氣很難吸附于大部分材料，因此這里無疑是地球上潔凈的地方。生長薄膜所用的單晶襯底則要置于襯底加熱臺上，它位于真空系統(tǒng)的中心位置，其溫度的控制與蒸發(fā)源類似，都是通過 PID 控制器調(diào)控，用以優(yōu)化生長。用于靶材加熱的蒸發(fā)源同時(shí)指向真空系統(tǒng)的中心（襯底所在處），每個(gè)蒸發(fā)源可進(jìn)行獨(dú)立、的溫度控制，以保證穩(wěn)定的分子束流或原子束流。對大型 MBE 系統(tǒng)而言，如果設(shè)計(jì)合適，可以安裝十幾個(gè)高純元素的蒸發(fā)源，用于多組分復(fù)雜化合物薄膜的制備。

MBE 薄膜生長的實(shí)時(shí)監(jiān)測則由反射式高能電子衍射儀（Reflection High Energy Electron Diffraction, RHEED）完成。RHEED電子槍發(fā)射的高能電子以掠角入射（小于4度），經(jīng)過襯底樣品表面反射后再以掠角方式到達(dá)熒光屏。這種工作機(jī)制使得薄膜的生長和實(shí)時(shí)監(jiān)測互不干擾，這是 MBE 的另一大優(yōu)點(diǎn)：在已知的薄膜生長裝置中，RHEED 是利用電子作為探針、原位實(shí)時(shí)監(jiān)測薄膜生長的設(shè)備。通過記錄分析 RHEED 的衍射花樣和強(qiáng)度，我們可以了解薄膜在生長過程中其表面的平整度、結(jié)晶的好壞和晶體結(jié)構(gòu)等重要信息。表面越平整， RHEED 信號就越強(qiáng)，衍射條紋也越長。